Samsung показал новые технологии памяти для ИИ. Он борется за рынок объемом $1 трлн

Крупнейший в мире производитель чипов памяти Samsung представил новое поколение технологий для искусственного интеллекта. Стремясь укрепить свои позиции на фоне быстрорастущего рынка ИИ, южнокорейский гигант делает ставку на повышенную производительность и энергоэффективность, чтобы обойти конкурентов — SK Hynix и Micron, пишет Bloomberg.

Samsung раскрыл сразу несколько разработок на ежегодной конференции Future of Memory and Storage в США. Их общая цель — повысить производительность и энергоэффективность систем искусственного интеллекта, отмечает Reuters.

— Самой важной инновацией стала архитектура zHBM, которая меняет способ компоновки чипов. Обычно сверхбыстрая память (HBM) располагается на плате рядом с процессором, из-за чего на пересылку данных уходит время. Samsung предложила систему, в которой чипы памяти устанавливаются прямо поверх ИИ-ускорителей, благодаря чему расстояние сокращается до минимума.

По оценкам Samsung, такая архитектура обеспечит примерно восьмикратный прирост производительности по сравнению с традиционными системами и позволит разместить в десять раз больше памяти. В качестве ориентира компания использует HBM5 — следующее поколение памяти, которое пока еще не вышло на рынок. Кроме того, решение zHBM потребляет в три раза меньше энергии, в два раза меньше нагревается и позволяет гибко настраивать компоненты под конкретные задачи заказчиков.

Даты массового внедрения вертикальной архитектуры компания не раскрыла, пишет Bloomberg.

— Samsung также анонсировал архитектуру zNAND-O, предназначенную для работы ИИ-приложений в реальном времени с минимальными задержками.

— Кроме того, был представлен прототип флеш-памяти V10 Bonding V-NAND, или сокращенно BV-NAND. Ее главная особенность — более 400 слоев, расположенных друг над другом. Чтобы создать такой «многоэтажный» чип, инженеры использовали передовую технологию межпластинчатого соединения (wafer-bonding) — по сути, прямого склеивания кремниевых пластин. В результате на новый накопитель помещается на 58% больше данных по сравнению с прошлым поколением V9 NAND. Кроме того, такая память дает более высокую скорость чтения и записи данных. 

— Помимо этого, компания представила дорожную карту по выпуску «умных» чипов, способных частично обрабатывать данные прямо внутри самой памяти.

Во второй половине года компания планирует нарастить выпуск HBM4 — самого современного поколения памяти, доступного на рынке. Сроки перехода на HBM5 пока не известны.

Новые разработки Samsung представила на фоне усиливающейся конкуренции за рынок памяти, объем которого Bloomberg оценивает почти в $1 трлн. Компания борется за клиентов с двумя другими лидерами — SK Hynix и Micron. Анонс новой архитектуры zHBM отражает стремление Samsung стать поставщиком полного спектра решений для эпохи ИИ, объясняет Bloomberg.

Ставка на новые технологии связана с растущими потребностями ИИ-индустрии. По мере распространения искусственного интеллекта увеличивается необходимость в мощностях не только для обучения моделей, но и для их повседневной работы — генерации ответов пользователям. Это стимулирует спрос на разные типы памяти: HBM нужна для быстрого обмена данными с ИИ-ускорителем, а флеш-память NAND — для хранения больших массивов данных, которые нужны для работы ИИ- моделей.